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IRFR014TRPBF

威世 · N 沟道贴片功率 MOSFET · DPAK / TO-252AA
60V / 7.7A N 沟道功率 MOSFET;Rds(on) 200mΩ @ VGS=10V,适用于开关电源、电机驱动、负载开关等功率场景

📋 核心规格参数

品牌威世(Vishay,原 International Rectifier IR 产品线)
Ordering CodeIRFR014TRPBF
产品类型N 沟道贴片功率 MOSFET
封装 / 形态DPAK / TO-252AA 表面贴装
内部料号104-300140A6
丝印代码FR014
漏源电压 VDS60 V
连续漏极电流 ID7.7 A(TC=25℃)
导通电阻 Rds(on) Max200 mΩ @ VGS=10V
最大耗散功率 Pd25 W
工作结温范围-55℃ ~ +150℃
原厂包装2000 pcs / 卷(编带 Tape & Reel)
环保认证RoHS / 无卤 / 符合 REACH
质量等级原装正品 · 原厂渠道供货
威世 Vishay N 沟道 MOSFET DPAK TO-252AA

💡 关键特性

• 60V 耐压 N 沟道,适配 12V / 24V / 48V 系统的次级侧与功率开关
• 7.7A 连续漏极电流,DPAK 表贴封装具备良好散热能力
• Rds(on) 200mΩ @ VGS=10V,标准 10V 逻辑门极驱动,无需负压升压
• 原 International Rectifier(IR)经典 HEXFET® 功率 MOSFET 工艺,可靠性高
• 编带包装 2000pcs / 卷,适合 SMT 自动化贴装量产

🚀 典型应用

IRFR014TRPBF 适用于 开关电源(SMPS)同步整流 / 初级侧开关、DC-DC 转换器、小功率 BLDC 电机驱动、负载开关、电池保护、LED 驱动,以及消费电子与工业控制中的各类功率切换场景。该型号由威世原厂设计制造,符合工业级可靠性要求,提供完整规格书、参考设计与长期供货保障。

📞 询价与样品

富盛微电子为威世提供原厂渠道供货。所有型号现货库存充足,7×24 小时报价响应,提供样品测试与 BOM 配套服务。可申请规格书、技术手册、参考设计文件。

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