DIODES Incorporated（达尔科技｜美台半导体）
US1M-13-F
- 1A / 1000V 超快恢复整流二极管
- SMA 封装 · 2 引脚贴片
- trr 75ns · 高频整流
快恢复
1A 1000V
RoHS 合规
无卤
SMA
SOD-123
2 引脚贴片
2 引脚贴片
核心电气参数（25℃）
| 参数 | 符号 | 规格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| 重复反向峰值电压 | VR R M | 1000 V | 最大反向耐压 |
| 平均正向整流电流 | IO | 1 A | 持续整流电流 |
| 正向压降 | VF | ≤ 1.7 V | IF = 1A 时 |
| 反向漏电流 | IR | ≤ 5 μA | VR = 1000V 时 |
| 浪涌电流 | IF S M | 30 A | 8.3ms 浪涌冲击 |
| 反向恢复时间 | tr r | 75 ns | 超快恢复 |
| 结电容 | Ct | 15 pF | 4V / 1MHz 条件下 |
| 结温范围 | TJ | -65 ℃ ~ +150 ℃ | 工作温度区间 |
极性识别
器件阴极（负极）端有标识色环，SMA（DO-214AC）单管 2 引脚，丝印 US1M。
关键特性
超快恢复
trr 75ns，高频开关电源次级整流首选
1000V 高耐压
1A 电流，兼顾高压与速度
大浪涌能力
IFSM 30A，抗冲击能力强
玻璃钝化芯片
结可靠性高，适合自动贴装
典型应用
开关电源次级高频整流
PWM 续流、阻尼二极管
反激变换器输出整流
LED 驱动电源
⚠️ 替代注意
US1M 为快恢复管（trr 75ns），可替代 1N4007W 用于高频场景；但 1N4007W 不可替代 US1M（恢复慢发热大）。
⚠️ 超低压降需求
如需更低正向压降（<0.6V），高频大电流场景可改用肖特基（如 B540C 40V/5A），但耐压低于 200V。
可替代方案（SOD-123 5.1V/500mW 稳压管）
1N4007W-7-F
1A/1000V 标准恢复（本页同系列）
S1M
Vishay 同型号 SMA
US1J-13-F
600V 版本
数据来源：DIODES 规格书（网络公开数据交叉验证）
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